導讀：  LED芯片主要由砷(AS)、鋁(AL)、鎵(Ga)、銦(IN)、磷(P)、氮(N)、鍶(Si)這幾種元素中的若干種組成，主要材料為單晶硅。

　　LED芯片是半導體發(fā)光器件LED的核心部件(LED燈)，LED發(fā)光的原理主要在于LED芯片的P-N結。一般來說，半導體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導體，在它里面空穴占主導地位，另一端是N型半導體，在這邊主要是電子。但這兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成一個P-N結(LED電視)。

　　當電流通過導線作用于這個晶片的時候，電子就會被推向P區(qū)，在P區(qū)里電子跟空穴復合，然后就會以光子的形式發(fā)出能量而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料決定的(LED顯示器)。

　　LED芯片主要由砷(AS)、鋁(AL)、鎵(Ga)、銦(IN)、磷(P)、氮(N)、鍶(Si)這幾種元素中的若干種組成，主要材料為單晶硅。

　　LED芯片的分類

　　用途：根據(jù)用途分為大功率LED芯片、小功率LED芯片兩種;顏色：主要分為三種：紅色、綠色、藍色(制作白光的原料);形狀：一般分為方片、圓片兩種;

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　　LED芯片結構介紹

　　不同LED芯片，其結構大同小異，有外延用的芯片基板(藍寶石基板、碳化硅基板等)和摻雜的外延半導體材料及透明金屬電極等構成。

　　LED芯片特點

　　1、四元芯片，采用MOVPE工藝制備，亮度相對于常規(guī)芯片要亮。

　　2、信賴性優(yōu)良。

　　3、應用廣泛。

　　4、安全性高。

　　5、壽命長。

　　LED芯片的重要參數(shù)

　　1、正向工作電流If：

　　它是指發(fā)光二極體正常發(fā)光時的正向電流值。在實際使用中應根據(jù)需要選擇IF在0.6·IFm以下。

　　2、正向工作電壓VF：

　　參數(shù)表中給出的工作電壓是在給定的正向電流下得到的。一般是在IF=20mA時測得的。發(fā)光二極體正向工作電壓VF在1.4～3V。在外界溫度升高時，VF將下降。

　　3、V-I特性：

　　發(fā)光二極體的電壓與電流的關系，在正向電壓正小于某一值(叫閾值)時，電流極小，不發(fā)光。當電壓超過某一值后，正向電流隨電壓迅速增加，發(fā)光。

　　4、發(fā)光強度IV：

　　發(fā)光二極體的發(fā)光強度通常是指法線(對圓柱形發(fā)光管是指其軸線)方向上的發(fā)光強度。若在該方向上輻射強度為(1/683)W/sr時，則發(fā)光1坎德拉(符號為cd)。由于一般LED的發(fā)光二極管強度小，所以發(fā)光強度常用燭光(坎德拉,mcd)作單位。

　　5、LED的發(fā)光角度：-90°-+90°

　　6、光譜半寬度Δλ:

　　它表示發(fā)光管的光譜純度。

　　7、半值角θ1/2和視角：

　　θ1/2是指發(fā)光強度值為軸向強度值一半的方向與發(fā)光軸向(法向)的夾角。

　　8、全形：

　　根據(jù)LED發(fā)光立體角換算出的角度，也叫平面角。

　　9、視角：

　　指LED發(fā)光的最大角度，根據(jù)視角不同，應用也不同，也叫光強角。

　　10、半形：

　　法向0°與最大發(fā)光強度值/2之間的夾角。嚴格上來說，是最大發(fā)光強度值與最大發(fā)光強度值/2所對應的夾角。LED的封裝技術導致最大發(fā)光角度并不是法向0°的光強值，引入偏差角，指得是最大發(fā)光強度對應的角度與法向0°之間的夾角。

　　11、最大正向直流電流IFm：

　　允許加的最大的正向直流電流。超過此值可損壞二極體。

　　12、最大反向電壓VRm：

　　所允許加的最大反向電壓即擊穿電壓。超過此值，發(fā)光二極體可能被擊穿損壞。

　　13、工作環(huán)境topm:

　　發(fā)光二極體可正常工作的環(huán)境溫度范圍。低于或高于此溫度范圍，發(fā)光二極體將不能正常工作，效率大大降低。

　　14、允許功耗Pm:

　　允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的最大值。超過此值，LED發(fā)熱、損壞。

　　總結

　　我們知道，LED芯片的主要功能是：可以直接把電轉化為光，它可以說是LED的心臟。本文簡單介紹了LED芯片的基礎知識即：LED芯片的分類、結構、特點以及重要參數(shù)等內(nèi)容。