因具備高頻、高效、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)越性能特點，氮化鎵 是時下最熱門的第三代半導(dǎo)體材料之一;因可幫助芯片成品增加集成度、減小體積并降低功耗的特性，SIP（System in Package）系統(tǒng)級封裝技術(shù) 成為當(dāng)前關(guān)鍵的半導(dǎo)體先進封裝技術(shù)，若兩者結(jié)合，又將會為半導(dǎo)體下游應(yīng)用帶來什么樣的“新火花”呢?

　　近日，國星光電應(yīng)邀出席2023集邦咨詢第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會，并發(fā)表了《GaN的SIP封裝及其應(yīng)用》主題演講，圍繞氮化鎵的SIP封裝及應(yīng)用進行解析與展望，并就氮化鎵的SIP封裝技術(shù)如何開辟公司半導(dǎo)體封裝業(yè)務(wù)新藍海、賦能LED產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展作了分享。

　　▲國星光電應(yīng)邀出席2023集邦咨詢第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會并發(fā)表演講

　　乘勢而上

　　精準發(fā)力SIP系統(tǒng)級封裝

　　面對下游應(yīng)用集成電路芯片封裝尺寸縮小、更輕更薄的發(fā)展趨勢，SIP技術(shù)應(yīng)需而生。SIP技術(shù)是通過將多個裸片及無源器件整合在單個封裝體內(nèi)的集成電路封裝技術(shù)，可應(yīng)用于消費電子、無線電子、醫(yī)療電子、云計算、工業(yè)控制、汽車電子等生活與生產(chǎn)場景。隨著應(yīng)用場景的持續(xù)擴大，未來將有更多不同領(lǐng)域的芯片朝著SIP封裝的方向發(fā)展，市場前景廣闊。

　　SIP封裝技術(shù)制造程序較為復(fù)雜，不僅受到裝備工藝能力、材料特性方面的限制，對于封測設(shè)計也是極具挑戰(zhàn)，要綜合考慮封裝過程中以及應(yīng)用時器件的電-磁影響，電-熱應(yīng)力影響等方面因素，因此，對于企業(yè)的封測能力有著較高的要求。

　　近年來，國星光電不斷豐富第三代半導(dǎo)體賽道的產(chǎn)品布局，作為LED封裝行業(yè)龍頭企業(yè)，公司在SIP封裝技術(shù)上具備先發(fā)優(yōu)勢，可通過與氮化鎵的結(jié)合，為下游LED等各領(lǐng)域提供高品質(zhì)、高可靠性的驅(qū)動電源方案。

　　攻堅克難

　　開發(fā)豐富氮化鎵SIP產(chǎn)品

　　與常規(guī)的Single Die器件不同，國星光電主要的研究方向是制造生產(chǎn)具備特定功能的氮化鎵功率器件。由于氮化鎵功率器件本質(zhì)是一個開關(guān)管，若要實現(xiàn)特定的功能，這離不開對氮化鎵開關(guān)管的控制。控制行為在電路中屬于邏輯部分，將邏輯電路和功率電路進行SIP封裝是高難度的挑戰(zhàn)。

　　面對氮化鎵SIP封裝器件復(fù)雜的制造程序，以及鮮有可參考的技術(shù)產(chǎn)品案例，國星光電充分利用自身在LED封裝領(lǐng)域的多年經(jīng)驗與優(yōu)勢和在第三代半導(dǎo)體的潛心研究，積極攻堅技術(shù)壁壘，成功開發(fā)出多款基于SIP封裝的氮化鎵IC產(chǎn)品，并配套開發(fā)出相應(yīng)的氮化鎵驅(qū)動方案，可在LED照明驅(qū)動電源、LED顯示器驅(qū)動電源、墻體插座快充、移動排插快充等領(lǐng)域得以應(yīng)用。

　　其中，驅(qū)動器+氮化鎵SIP封裝方案在墻插快充產(chǎn)品上得以應(yīng)用，具備尺寸小、功率密度高的優(yōu)勢，輸出功率達到了35W，達到行業(yè)領(lǐng)先水平。系列產(chǎn)品還可以應(yīng)用于120W、200W磁吸燈和櫥柜燈等場景。

　　▲國星光電驅(qū)動器+氮化鎵SIP封裝方案及應(yīng)用

　　此外，國星光電還布局了應(yīng)用于LED調(diào)光的AC/DC氮化鎵可控硅調(diào)光LED驅(qū)動芯片產(chǎn)品，通過內(nèi)置MCU芯片來實現(xiàn)LED亮度從1%到100%的調(diào)節(jié)，并簡化了開關(guān)電路;推出了可雙路調(diào)光調(diào)色的氮化鎵控制IC產(chǎn)品，將MCU芯片與氮化鎵電路結(jié)合，通過電力載波的形式實現(xiàn)通信高效傳輸。

　　立足主業(yè)

　　重點培育第三代半導(dǎo)體新應(yīng)用

　　從簡單的氮化鎵單管，到合封驅(qū)動產(chǎn)品，再到做氮化鎵SIP封裝以及功能多元化的氮化鎵芯片，目前，國星光電正著力打造全新電源管理IC技術(shù)路線，推動氮化鎵驅(qū)動方案向LED應(yīng)用下游深入發(fā)展，致力讓LED驅(qū)動電源成為PD快充之后又一快速成長的氮化鎵應(yīng)用市場。

　　當(dāng)前，國星光電在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品布局已形成碳化硅分立器件、碳化硅功率模塊、氮化鎵電源方案等一系列碳化硅/氮化鎵功率器件及應(yīng)用方案，可廣泛應(yīng)用于照明及大功率驅(qū)動市場、太陽能發(fā)電、光伏逆變、儲能、充電樁、電網(wǎng)傳輸、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域。

　　依托優(yōu)異的LED封裝品質(zhì)口碑，下一步，國星光電將立足主業(yè)，繼續(xù)重點培育新的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品，促進企業(yè)多元化發(fā)展，并充分利用自身完整的封測產(chǎn)線優(yōu)勢，努力做強第三代化合物半導(dǎo)體及功率IC封測業(yè)務(wù)，力爭成為化合物半導(dǎo)體封測先行者、引領(lǐng)者。

　　部分資料來源：化合物半導(dǎo)體市場微信公眾號

　　撰稿：翁雯靜

　　編輯：翁雯靜

　　編審：潘麗華