近日，國內(nèi)外高校相繼在Micro LED 研究上又有新進(jìn)展。

　　01 香港科技大學(xué)研發(fā)全彩Micro LED制作新技術(shù)

　　香港科技大學(xué) (HKUST ) 的研究團(tuán)隊(duì)展示了一種新技術(shù)，可利用InGaN和AlGaInP半導(dǎo)體材料的異質(zhì)集成實(shí)現(xiàn)全彩Micro LED顯示器。

　　據(jù)悉，研究團(tuán)隊(duì)制造了一款Micro LED微型顯示器原型，具有200x80像素和每英寸391像素的超高分辨率。為了實(shí)現(xiàn)全彩顯示效果，團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種集成藍(lán)、綠和紅光的Micro LED陣列雙層顯示架構(gòu)。

　　通過異構(gòu)集成的方法，團(tuán)隊(duì)能夠利用InGaN和AlGaInP材料的高效率分別實(shí)現(xiàn)藍(lán)、綠和紅光發(fā)射。

　　研究人員表示，新技術(shù)與多堆棧晶圓鍵合或顏色轉(zhuǎn)換等現(xiàn)有技術(shù)相比，其簡化了制造流程。利用該技術(shù)，研究團(tuán)隊(duì)成功地在微顯示器上顯示全彩圖像，顯示器具有109% sRGB色域和300尼特的亮度。研究團(tuán)隊(duì)表示，通過增強(qiáng)像素驅(qū)動器和優(yōu)化GaN雙色外延片 的方法，可以進(jìn)一步改善微顯示器的顏色混合并實(shí)現(xiàn)超過4000尼特的亮度。

　　02 謝菲爾德大學(xué)研發(fā)外延生長Micro LED技術(shù)

　　謝菲爾德大學(xué)的研究人員開發(fā)了一種Micro LED制造新方法，稱作Confined selective epitaxy (CSE) 的技術(shù)。該技術(shù)允許在外延生長過程中直接形成Micro LED，而不是使用傳統(tǒng)的蝕刻工藝。新技術(shù)避免等離子體損壞，顯著提高M(jìn)icro LED的性能和功能。研究團(tuán)隊(duì)表示CSE技術(shù)可有效解決Micro LED面臨的多項(xiàng)生產(chǎn)挑戰(zhàn)。

　　據(jù)團(tuán)隊(duì)介紹，在效率方面，CSE技術(shù)實(shí)現(xiàn)了尺寸為3.6μm的綠光Micro LED，峰值外部量子效率達(dá)到9%，較蝕刻技術(shù)打造的Micro LED提升1~5%。

　　在波長方面，CSE技術(shù)可實(shí)現(xiàn)以直接生長紅光642nm的Micro LED，具有1.75%的外量子效率 。在電流泄漏方面，CSE技術(shù)可將Micro LED側(cè)壁泄漏電流密度降低至3×10- 6 A/cm2 ，減少顯示器像素的無意激活。

　　在集成度方面，CSE技術(shù)實(shí)現(xiàn)了Micro LED與HEMT驅(qū)動器電子器件的直接集成，避免了復(fù)雜的組裝步驟。