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Micro-LED 巨量轉移技術的難點與突破全解析(二)

來源:辰顯光電        編輯:ZZZ    2024-08-22 16:47:27     加入收藏

巨量轉移檢測是確保屏體質量的關鍵步驟,旨在識別并精確定位制程中的壞點,然后將這些坐標輸出給修復工藝,以提高屏體的點亮良率和畫質。

  1. 為什么巨量轉移的檢測是關鍵步驟?

  巨量轉移檢測是確保屏體質量的關鍵步驟,旨在識別并精確定位制程中的壞點,然后將這些坐標輸出給修復工藝,以提高屏體的點亮良率和畫質。目前,檢測方式主要包括外觀檢測、光學檢測和電學檢測,分別在Wafer端、制程端和屏體端進行,以實現對過程不良的精準檢測。此外,為了應對Micro-LED芯片光學均一性不足的問題,辰顯光電采用了混bin技術,通過光學和電學檢測對Micro-LED來料進行精確分類,從而提升顯示效果。

 

  2. 目前行業(yè)在巨量轉移檢測中面臨哪些主要挑戰(zhàn)?

  隨著Micro-LED芯片的微縮化,傳統(tǒng)檢測方案和設備難以滿足需求。首先,電學檢測面臨的挑戰(zhàn)在于每個顯示器需檢測的LED數量達到數十萬乃至上千萬顆,受限于Micro-LED 芯片一般小于50μm,現有檢測效率還處在1~2秒的階段,還無法滿足 LED全檢要求。其次,檢測精度要求極高,Micro-LED制程中對于精度的要求一般在2μm以內,高PPI產品甚至需要1μm以內的精度。這對于 Micro-LED 芯片從晶圓到中間臨時基板再到背板的各個環(huán)節(jié)的精度檢測提出了極高要求,必須結合智能算法和高精度數據采集硬件才能達成。

 

  3. 辰顯光電如何構建高效的巨量轉移檢測流程?

  辰顯光電在巨量轉移工藝中布置了多個檢測站點,以提高一次轉移良率和精準修復能力。首先,Micro-LED Wafer來料時會進行外觀(AOI)、光學(PL)和電學(EL)檢測,確保 Micro-LED 的來料良率和光電信息,集中修復不良點位。在轉移制程中,通過AOI檢測確定制程中的不良因素,如缺失、偏位等,進行及時修復。最后,針對鍵合后的屏體進行CT檢測,檢查屏體光學品質,包括亮暗點、異常顯示、亮度和波長一致性等,并將檢測出的壞點坐標輸出給下一站點修復。最終通過層層檢測和修復,辰顯光電能夠生產出高畫質、零暗點的屏體。

 

  4. 辰顯光電采用了哪些國內首臺設備或技術進行檢測?

  辰顯光電十分重視與國內設備廠商密切合作,在Micro-LED產業(yè)化初期即引入了多項國內先進技術和設備,特別是在檢測方面,涵蓋了AOI、PL、CT等關鍵檢測環(huán)節(jié),確保檢測流程的高效性和準確性。由于Micro-LED是新興技術,隨著對技術和工藝要求的不斷提升,辰顯光電與設備廠商共同推進設備與技術的迭代,合作開發(fā)出了多個國內首臺套設備,進一步推動了Micro-LED產業(yè)化進程。

免責聲明:本文來源于辰顯光電,本文僅代表作者個人觀點,本站不作任何保證和承諾,若有任何疑問,請與本文作者聯系或有侵權行為聯系本站刪除。
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