在當今快速發(fā)展的顯示技術領域，MiP(Micro LED in Package)與COB(Chip-on-Board)作為兩大前沿技術路線，正攜手共筑顯示產(chǎn)業(yè)的新生態(tài)。這一雙路線的結合，不僅超越了傳統(tǒng)意義上的技術競爭，更在互補中展現(xiàn)了強大的創(chuàng)新力和市場潛力。

　　自2023年起，MiP(Micro in Package)封裝技術，在小間距LED直顯領域內(nèi)猶如一股新風，悄然升溫。作為一種新興的獨立器件封裝結構，MiP以其能無縫銜接“表貼”工藝產(chǎn)業(yè)鏈，實現(xiàn)低成本技術迭代的獨特魅力，備受矚目。與此同時，行業(yè)內(nèi)關于MiP與COB(Chip on Board)兩大技術未來走向的討論，亦日漸熱烈。

　　MiP與COB：競爭與互補的雙重奏

　　談及MiP與COB，二者是否構成競爭關系?從MiP目前推出的產(chǎn)品陣容來看，其多數(shù)與COB技術的小間距LED直顯產(chǎn)品存在交集。特別是MiP將表貼工藝引入P1.0以下的超微間距市場，這一布局無疑加劇了與COB的直接競爭。

　　據(jù)悉，在P1.0以下市場，COB技術已占據(jù)超過半數(shù)的份額，而剩余市場則主要由“四合一”(IMD，亦稱MiP in one技術，即多合一器件)瓜分。在此市場中，COB以性能見長，多合一技術則憑借成本優(yōu)勢及與“表貼”工藝的兼容性占據(jù)一席之地。相比之下，MiP在超微間距市場的應用尚處于起步階段。

　　近年來，隨著成本降低和市場接受度的提升，COB產(chǎn)品技術持續(xù)進步。P1.5級別產(chǎn)品的滲透率已達到約20%。展望未來，在P2.0以下市場，COB產(chǎn)品有望占據(jù)3-5成的需求份額。而MiP技術，其大間距方向的應用可延伸至P2.0甚至P3.0-4.0，與COB的市場重合度不言而喻。

　　除市場重疊外，MiP與COB在面臨的問題上也存在高度一致性。例如，二者均代表著較高的成本，尤其是在超微間距市場。盡管MiP作為獨立器件，在形成三原色燈珠和顯示終端的過程中分兩次處理了轉移密度問題，但這并未從根本上解決超微間距下單位顯示面積所需巨量器件的難題。

　　值得注意的是，即便MiP兼容并采用“表貼”工藝，其在超微間距產(chǎn)品上的應用仍屬于“超高端表貼”，與P10產(chǎn)品對設備、材料和工藝的需求不可同日而語。如P0.5間距產(chǎn)品，無論是COB還是MiP，本質(zhì)上都需要高難度的巨量轉移技術。

　　行業(yè)專家指出，超微間距市場并無捷徑可走。在此背景下，行業(yè)企業(yè)傳統(tǒng)上傾向于選擇COB為主導技術，因其產(chǎn)業(yè)流程更短、終端產(chǎn)品可靠性更高，更適合企業(yè)獨立掌握和開發(fā)高難度的集成技術。而在更大間距指標上，MiP與COB的制造難度均會降低，二者將主要圍繞成本和體驗的差異展開競爭。在此方面，MiP或許能更充分地發(fā)揮“表貼”工藝的優(yōu)勢。

　　產(chǎn)業(yè)升級與替代：各展所長

　　對于MiP與COB的技術關系，有企業(yè)認為二者并非對立，而是相輔相成。MiP被視為“產(chǎn)業(yè)替代”，而COB則為“產(chǎn)業(yè)升級”。

　　MiP的核心優(yōu)勢在于，它將mini/micro LED晶體顆粒引入傳統(tǒng)表貼和獨立RGB器件占主導的市場。當P2.0以上產(chǎn)品需實現(xiàn)更小LED晶體顆粒的導入時，其RGB器件的封裝工藝必須適配新的微縮化LED晶體顆粒和外延技術。這種改進的產(chǎn)物，便是MiP。以mini/micro LED技術為基礎的MiP，將替代部分傳統(tǒng)RGB LED燈珠產(chǎn)品，這是LED產(chǎn)品光效持續(xù)升級市場背景下的必然選擇，也是COB技術所無法替代的。

　　而COB產(chǎn)品的核心優(yōu)勢，除了可靠性、堅固性、顯示性能等外，更在于其“產(chǎn)業(yè)流程”上的優(yōu)勢。對于LED顯示而言，COB不僅是一種封裝技術，也是一種終端成型技術。從外延片到終端CELL，COB實現(xiàn)了全產(chǎn)業(yè)鏈的覆蓋。這對于超微間距、更小的間距時代，降低制造鏈條長度、提升中高端產(chǎn)品市場的技術集中度具有巨大益處。COB產(chǎn)品不僅是體驗效果上的進步，也是產(chǎn)業(yè)鏈上的重新整合，更是間距指標升級的助力。其作為小間距LED向更小間距開辟新市場的升級性產(chǎn)業(yè)特點，不言而喻。

　　此外，MiP與COB的進一步發(fā)展均需解決巨量轉移、micro LED晶體品質(zhì)和一致性、超微結構修復等上中游共通問題。事實上，許多行業(yè)專家將MiP視為單一RGB封裝的COB技術，這與此前IMD等多合一技術被看作“只包含幾個像素點的COB”技術具有異曲同工之妙。

　　“究竟是MiP化整為零更勝一籌，還是COB集零為整更為出色，這需要產(chǎn)業(yè)實踐來檢驗。具體而言，這取決于上中游技術能力最終發(fā)展到何種水平。”從這一點來看，MiP與COB似乎又在攜手“共謀大業(yè)”。

　　雙管齊下：市場眼下的理性選擇

　　目前，在MiP與COB兩種封裝技術上均有深厚積淀的企業(yè)，因這兩種技術各具優(yōu)勢，均值得深入發(fā)展。這一態(tài)度幾乎成為了上游、中游和下游行業(yè)龍頭對MiP與COB技術的共同選擇。

　　一方面，已掌握成功COB技術能力的企業(yè)，不會輕易放棄自己的技術優(yōu)勢和前期投入。然而，MiP在P1.0以上市場平替?zhèn)鹘y(tǒng)RGB LED燈珠，將mini甚至micro LED導入市場的可能性，使其必須緊密跟蹤MiP技術的發(fā)展。在超微間距市場上，客戶選擇的差異性也為MiP提供了可行的探索空間。

　　另一方面，對于尚未進入超微間距LED市場或不具備COB技術能力的終端企業(yè)而言，跟進MiP技術是其進入mini/micro時代的“必由之路”。其相關產(chǎn)品投入的熱情，僅取決于MiP在傳統(tǒng)間距市場的競爭力，尤其是成本競爭力表現(xiàn)。

　　“客戶群和技術能力決定了不同企業(yè)在MiP與COB上的態(tài)度差異。然而，現(xiàn)在無人否定任一技術的未來!”業(yè)內(nèi)人士表示，多年前基于SMD產(chǎn)品的缺點，行業(yè)大力研發(fā)COB技術;這兩年，基于巨量轉移的難度，又提出了MiP方案。未來技術和工藝的進步，是否會帶來更新的方案，或者現(xiàn)有方案的殊途同歸，尚無法預料。

　　按照業(yè)內(nèi)人士的普遍觀點，當前LED直顯行業(yè)的主要風險之一便是“創(chuàng)新迭代太快”。在此背景下，選邊站隊一旦失誤，便可能錯失“換道”的時間和空間。對于頭部企業(yè)而言，多條技術路線齊頭并進是更為穩(wěn)妥的風險中和性選擇。

　　成熟市場：成本競爭是眼下的關鍵

　　自2021年MiP概念被提出以來，其市場發(fā)展勢頭迅猛。2024年，行業(yè)已全面關注，重點產(chǎn)品悉數(shù)落地。然而，這一時期也是COB技術快速發(fā)展的階段。

　　目前，COB已達到最佳效應點，只需在配置與成本之間實現(xiàn)質(zhì)的平衡，便能大規(guī)模鋪開。預計在小間距LED典型應用市場，2025年COB的市場替代率將達到15%-30%，兩三年之內(nèi)有望超過40%-50%的替代率。即自2021年起，五年內(nèi)COB產(chǎn)品有望實現(xiàn)五倍以上的市場增長。

　　特別是在當前P0.5及其以下市場應用目標尚不明確的背景下，行業(yè)競爭主要圍繞P0.7以上產(chǎn)品展開。市場除了對顯示效果有要求外，對產(chǎn)品可靠性、長期穩(wěn)定性、供應成熟性、成本競爭力均有相應要求。在成熟市場中，COB的先發(fā)優(yōu)勢尤為明顯。這是MiP除技術外，最重要的競爭挑戰(zhàn)。

　　MiP與COB兩大技術雖同臺競技，卻非“生死PK”。這更像是一場大戲，因有了更多主角和更為豐富的劇情沖突而變得更加精彩。“合作多于競爭，共性問題多于個例問題，各自擁有獨特優(yōu)勢市場”。短期內(nèi)，MiP與COB將是推動行業(yè)進步的“雙腿”，共同支撐行業(yè)邁向更加輝煌的未來。