據(jù)企查查近期消息，芯映光電、高科視像、高科華燁、芯聚半導體等陸續(xù)公示Micro LED專利，涉及MiP、巨量轉(zhuǎn)移等方面。

　　▋ 湖北芯映光電有限公司：一種LED基板及顯示模組

　　近期，湖北芯映光電有限公司 公布“一種LED基板及顯示模組 ”相關專利進入授權階段。該專利詳情如下：

　　本申請涉及一種LED基板及顯示模組，所述LED基板包括：玻璃載板，所述玻璃載板的第一板面設置有導電線路;HDI線路板，所述HDI線路板固設于所述玻璃載板的第二板面，且所述HDI線路板與所述玻璃載板上的導電線路電連接，所述第一板面與所述第二板面分別位于所述玻璃載板的相對兩側(cè)。

　　本申請通過在HDI線路板上設置玻璃載板，并將導電線路設置在玻璃載板上，玻璃載板的表面精度和平整度遠遠大于HDI線路板的表面精度和平整度，有利于芯片的固定安放，能夠應用于Micro LED顯示，解決了相關技術中HDI多層線路板制作的基板在Micro LED顯示方面難以應用的技術問題。

　　▋山西高科華燁電子集團有限公司：一種MicroMIP器件制成方法

　　近期，山西高科華燁電子集團有限公司 公布“一種MicroMIP器件制成方法” 相關專利進入審中公布階段。該專利詳情如下：

　　本發(fā)明公開了一種Micro MIP器件制成方法，該方法包括以下步驟：S1.將含有LED芯片的COW與臨時載板鍵合并進行激光剝離;S2.進行三色芯片的巨量轉(zhuǎn)移，將三色芯片按照矩陣排列轉(zhuǎn)移到同一載板上;S3.準備一塊鋼化玻璃，并在其單面進行膠水涂布;S4.在鋼化玻璃表面按照矩陣排列進行金屬走線和金屬焊盤的沉積;S5.通過巨量焊接技術將芯片載板與已制備線路的鋼化玻璃焊接;S6.通過激光剝離技術剝離芯片的載板;S7.對鋼化玻璃上的結(jié)構(gòu)進行封裝;S8.通過隱切方式對Micro MIP器件進行切割。

　　通過本發(fā)明的制成技術，可以制備出Micro LED顯示屏所需的Micro MIP器件，解決Micro MIP制成周期長、難以實現(xiàn)量產(chǎn)全自動的問題。本發(fā)明的制成方法簡單高效。

　　▋山西高科視像科技有限公司：一種新型MicroLED巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng)及方法

　　近期，山西高科視像科技有限公司 公布“一種新型MicroLED巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng)及方法” 相關專利進入審中公布階段。該專利詳情如下：

　　本發(fā)明提供了一種新型Micro LED巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng)及方法，屬于Micro LED巨量轉(zhuǎn)移技術領域;解決了普通轉(zhuǎn)移方法轉(zhuǎn)移良率降低、檢測修復困難的問題;包括集巨量轉(zhuǎn)移、巨量檢測和巨量修復于一體的巨量轉(zhuǎn)移系統(tǒng);巨量轉(zhuǎn)移是利用轉(zhuǎn)移頭通過真空將芯片吸起，巨量檢測是利用梯形保護罩兩側(cè)的光電檢測裝置測得Micro LED芯片的工作電壓、亮度和發(fā)光波長等參數(shù)與預設值做比對，巨量修復是利用巨量轉(zhuǎn)移頭通過信息端反饋的數(shù)據(jù)，控制端控制吸嘴的開關，實現(xiàn)目標基板上芯片空缺位置的點對點補位。

　　本發(fā)明旨在優(yōu)化Micro LED集成封裝技術，并且通過新型的技術提升了巨量轉(zhuǎn)移良率，降低修復成本，提高顯示模組的色彩均勻度。

　　▋ 蘇州芯聚半導體有限公司：Micro-LED芯片及其制備方法

　　近期，芯聚半導體 公布“Micro-LED芯片及其制備方法” 相關專利進入審中公布階段。該專利詳情如下：

　　本發(fā)明揭示了一種MicroLED芯片及其制備方法，MicroLED芯片包括沿出光方向依次堆疊設置的第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和基板、以及粘結(jié)各層的粘結(jié)層，粘結(jié)層包括多個透光孔，透光孔與發(fā)光層的發(fā)光單元芯片的出光方向?qū)R。

　　該垂直堆疊式的MicroLED芯片通過透光孔的設計減少了光線穿過有機物的面積，避免了因有機物材料的不穩(wěn)定性造成的透光率不確定、以及有機物材料引發(fā)的光顏色變化的問題，從而一方面顯著提高了光傳輸效率和LED芯片的發(fā)光效率，減少了光損耗，另一方面提高了混光效果，保持了整個面板顯示顏色的一致性。所以，該MicroLED在尺寸更小的同時顯著提升了顯示效果，增強了顯示亮度和色彩純度，具有很高的實用價值和市場前景。