近日，兆馳半導(dǎo)體、長(zhǎng)春希達(dá)、羅化芯、海目星等公布Micro LED專利，涉及外延結(jié)構(gòu)及其制備方法、發(fā)光芯片測(cè)試方法、器件及其制備方法、修復(fù)方法與修復(fù)設(shè)備等技術(shù)環(huán)節(jié)。

　　兆馳半導(dǎo)體：一種高空穴注入效率Micro-LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法

　　江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種高空穴注入效率Micro-LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法”的發(fā)明專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118899378A，申請(qǐng)公布日為2024月11月5日。

　　圖片來源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

　　專利摘要 ：本發(fā)明公開了一種高空穴注入效率MicroLED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的MicroLED外延結(jié)構(gòu)包括多量子阱發(fā)光層、多階P型空穴注入增強(qiáng)層和P型半導(dǎo)體層;多階P型空穴注入增強(qiáng)層包括第一階空穴注入增強(qiáng)層、第二階空穴注入增強(qiáng)層和第三階空穴注入增強(qiáng)層;第一階空穴注入增強(qiáng)層包括第一AlGaN層和第一InGaN層;第二階空穴注入增強(qiáng)層包括第二AlGaN層和第二InGaN層，第二InGaN層中摻雜有Mg;第三階空穴注入增強(qiáng)層包括第三AlGaN層、第三InGaN層和第四InGaN層，第三InGaN層和第四InGaN層中分別摻雜有Mg。

　　本發(fā)明高空穴注入效率的MicroLED外延結(jié)構(gòu)，可顯著提高P型半導(dǎo)體層的空穴注入效率并改善多量子阱發(fā)光層區(qū)域電子空穴濃度的匹配度，從而提高M(jìn)icroLED芯片在低工作電流密度下的光效。

　　兆馳半導(dǎo)體：用于Micro-LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法

　　江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“用于Micro-LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法”的發(fā)明專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118888657A，申請(qǐng)公布日為2024月11月1日。

　　圖片來源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

　　專利摘要 ：本發(fā)明公開了一種用于MicroLED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法、Micro LED，涉及半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域。其中，外延結(jié)構(gòu)依次包括襯底、緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層、空穴輸運(yùn)層和P型GaN層;多量子阱層包括交替層疊的量子阱層和量子壘層;所述量子阱層為InxGa1xN層，所述量子壘層包括依次層疊的InyGa1yN層、AlzGa1zN層和BwGa1wN層;x>y;所述量子壘層的厚度<10nm;所述空穴輸運(yùn)層包括依次層疊的AlαGa1αN層、BβGa1βN層和AlN層;w>α>β。實(shí)施本發(fā)明，可提升MicroLED在低電流密度下的光效，提升其顯示效果。

　　長(zhǎng)春希達(dá)：一種Micro-LED發(fā)光芯片測(cè)試方法

　　長(zhǎng)春希達(dá)電子技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種Micro-LED發(fā)光芯片測(cè)試方法”的發(fā)明專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118884188A，申請(qǐng)公布日為2024月11月1日。

　　圖片來源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

　　專利摘要 ：一種MicroLED發(fā)光芯片測(cè)試方法，涉及MicroLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，解決現(xiàn)有采用TFT的AM驅(qū)動(dòng)技術(shù)驅(qū)動(dòng)MicroLED顯示器時(shí)，由于TFT和LED的性能差異會(huì)造成紅綠藍(lán)LED亮度匹配不均造成灰度過度不均勻以及亮度不均勻性的問題。方法通過基于PCB基板設(shè)計(jì)MicroLED測(cè)試陣列模組，陣列內(nèi)部采用并聯(lián)方式將LED陣列連接，外部采用電壓源直接驅(qū)動(dòng)方式保證加載到每顆LED上的電壓是一致的。通過測(cè)試紅綠藍(lán)三基色MicroLED陣列模組從0灰階到255灰階的數(shù)據(jù)電壓計(jì)算得紅綠藍(lán)模組最小灰階電壓的公約數(shù)以及MicroLED白場(chǎng)最小的灰階等級(jí)。本發(fā)明適用于MicroLED顯示領(lǐng)域。

　　第三代半導(dǎo)體研究院：Micro-LED器件及其制備方法

　　江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“Micro-LED器件及其制備方法”的發(fā)明專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118867068A，申請(qǐng)公布日為2024月10月29日。

　　圖片來源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

　　專利摘要 ：本發(fā)明公開一種MicroLED器件及其制備方法，該方法包括在襯底上依次形成層疊的N型層、第一發(fā)光結(jié)構(gòu)和第一介質(zhì)層;去除上述膜層的一部分，形成間隔分布的第一凸起、第一凹槽、第二凸起、第二凹槽和第三凸起;在第一凹槽和第二凹槽形成第二介質(zhì)層;去除至少部分第一介質(zhì)層和部分第二介質(zhì)層、露出第一發(fā)光結(jié)構(gòu)并形成第一孔，并形成第一P電極;去除第一凹槽上的第二介質(zhì)層，在第一凹槽槽底依次形成第二發(fā)光結(jié)構(gòu)和第二P電極;去除第二凹槽上的第二介質(zhì)層，并形成第三發(fā)光結(jié)構(gòu)和第三P電極;去除第三凸起、第三凸起表面的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，露出N型層并N電極。采用該方案，保證色彩的純凈度和亮度均勻性，改善發(fā)光效率低下和顏色一致性差的問題。

　　江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司(以下簡(jiǎn)稱研究院)于2019年7月注冊(cè)于蘇州工業(yè)園區(qū)，是以市場(chǎng)化機(jī)制運(yùn)行的新型研發(fā)機(jī)構(gòu)。研究院以培育發(fā)展第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)為目標(biāo)，聚焦第三代半導(dǎo)體在新型顯示、5G 通信、電力電子、環(huán)境與健康等領(lǐng)域的應(yīng)用。

　　海目星：Micro-LED修復(fù)方法與修復(fù)設(shè)備

　　海目星激光科技集團(tuán)股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“Micro-LED修復(fù)方法與修復(fù)設(shè)備”的發(fā)明專利，申請(qǐng)公布號(hào)為N118848253A，申請(qǐng)公布日為2024月10月29日。

　　圖片來源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

　　專利摘要 ：本發(fā)明公開了一種MicroLED修復(fù)方法與修復(fù)設(shè)備，修復(fù)設(shè)備包括支撐架、激光加工組裝置、物鏡組件、Z軸模組和T軸模組，所述物鏡組件沿T軸方向滑動(dòng)連接于所述支撐架上，所述T軸模組用于驅(qū)動(dòng)所述物鏡組件移動(dòng)，以使物鏡組件中不同倍率的物鏡移動(dòng)至激光加工組裝置射出激光的同軸位置，所述激光加工組裝置沿Z軸方向滑動(dòng)連接于所述支撐架上，所述Z軸模組用于驅(qū)動(dòng)所述支撐架移動(dòng)，以調(diào)節(jié)所述物鏡組件在Z軸方向的位置;修復(fù)方法采用上述修復(fù)設(shè)備實(shí)現(xiàn)MicroLED的修復(fù)。本發(fā)明通過不同倍率物鏡的選擇以及物鏡高度的調(diào)節(jié)來自動(dòng)追焦，從而提高加工的精度，同時(shí)提高加工效率。

　　羅化芯：一種多Micro-LED芯片封裝體及其制備方法

　　羅化芯顯示科技開發(fā)(江蘇)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種多Micro-LED芯片封裝體及其制備方法”的發(fā)明專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118867073A，申請(qǐng)公布日為2024月10月29日。

　　圖片來源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

　　專利摘要：本發(fā)明涉及一種多MicroLED芯片封裝體及其制備方法，涉及半導(dǎo)體顯示技術(shù)領(lǐng)域。在本發(fā)明的多MicroLED芯片封裝體的制備方法中，通過優(yōu)化第一氧化鋯鈍化層、第二氧化鋯鈍化層以及第三氧化鋯鈍化層的制備工藝，使得各氧化鋯鈍化層的表面為粗糙結(jié)構(gòu)，進(jìn)而在后續(xù)形成各金屬層時(shí)，可以有效提高二者的結(jié)合性能，進(jìn)而可以有效避免各金屬層剝離，且通過形成第一金屬層、第二金屬層以及第三金屬層，為各MicroLED芯片與第二電極之間提供多條導(dǎo)電通路，在后續(xù)的使用過程中，即使某一個(gè)導(dǎo)電通路發(fā)生斷路，這也不妨礙各MicroLED芯片的正常使用。

　　羅化芯：一種Micro-LED顯示面板及其形成方法

　　羅化芯顯示科技開發(fā)(江蘇)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種Micro-LED顯示面板及其形成方法”的發(fā)明專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118867074A，申請(qǐng)公布日為2024月10月29日。

　　圖片來源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

　　專利摘要 ：本發(fā)明涉及一種MicroLED顯示面板及其形成方法，涉及半導(dǎo)體顯示技術(shù)領(lǐng)域。在本發(fā)明的MicroLED顯示面板的形成方法中，通過在第二半導(dǎo)體層上形成第一透明導(dǎo)電層，并對(duì)所述第一透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理，以形成多個(gè)平行排列的條形透明導(dǎo)電凸塊，接著形成第二透明導(dǎo)電層，且設(shè)置第一透明導(dǎo)電層為鎂和氟共摻雜的氧化錫，第二透明導(dǎo)電層為氧化銦錫，通過上述設(shè)置，可以大大提高電流的擴(kuò)散性能，進(jìn)而可以提高M(jìn)icroLED單元的發(fā)光性能。

　　求是高等研究院：Micro-LED顯示芯片制備方法及Micro-LED顯示芯片

　　江西求是高等研究院申請(qǐng)一項(xiàng)名為“Micro-LED顯示芯片制備方法及Micro-LED顯示芯片”的發(fā)明專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118825173A，申請(qǐng)公布日為2024月10月21日。

　　圖片來源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

　　專利摘要 ：本發(fā)明提供了一種MicroLED顯示芯片制備方法及MicroLED顯示芯片，制備方法包括：在生長(zhǎng)襯底上沉積GaN外延層和第一鍵合金屬層;在驅(qū)動(dòng)電路基板表面沉積第二鍵合金屬層后與第一鍵合金屬層鍵合;去除生長(zhǎng)襯底及部分GaN外延層后進(jìn)行光刻和刻蝕，以形成若干相互獨(dú)立的MicroLED單元;沉積鈍化層和N電極層，得到若干獨(dú)立的發(fā)光臺(tái)面;在相鄰的兩發(fā)光臺(tái)面之間沉積環(huán)形的金屬電極，在金屬電極與發(fā)光臺(tái)面之間填充含有量子點(diǎn)和納米熒光粉的粘性光學(xué)涂層;制備微透鏡陣列后貼合在粘性光學(xué)涂層上，以得到目標(biāo)MicroLED顯示芯片。本申請(qǐng)的MicroLED顯示芯片為全彩顯示芯片，發(fā)光亮度強(qiáng)、效率高。